![]() This thesis discusses research on the hot-electron transport in the spin-valve transistor (SVT). Des mesures préliminaires ont mis en évidence un effet de filtre à spin sur une jonction n-Si/MgO/Co La méthode de dépôt mise au point a permis d'élaborer des structures combinant les propriétés magnétiques, structurelles et électriques nécessaires pour l'étude. La seconde approche nécessite d'élaborer des multicouches magnétiques (filtre à spin, vannes de spin) sur des jonctions métal/oxyde/semi-conducteur, en vue de mesures de transmission d'électrons chauds. ![]() Dans les cas des jonctions à aimantations perpendiculaires, cette TMR est limitée par la non-continuité de la couche de CoFeB supérieure. Toutes deux présentent une TMR de l?ordre de 60 %. Un travail sur les couches minces d'alliages de TbCo a permis d'élaborer des JTM (i) à anisotropies magnétiques perpendiculaires au plan de la couche et (ii) à anisotropies croisées. Une étude du transport tunnel dans ces systèmes a mis en évidence l'impact du désordre structurel des interfaces électrode/barrière sur le transport des électrons. Nous avons obtenu des JTM CoFeB/MgO/CoFeB à aimantations planaires avec 140 % de TMR. La première nécessite des jonctions tunnel magnétiques (JTM) doubles à forte magnéto-résistance tunnel (TMR). Celle-ci est induite par le champ d'échange d'une couche mince ferromagnétique dans une structure multicouche lors de sa traversée. This result is rather promising for the spintronic biochip developments.Ĭe travail porte sur la précession du spin d'électrons chauds polarisés en spin. The highest PHE sensitivity S of 110 μV (kA m−1)−1 has been obtained in the FeNi-based spin-valve structure with tp = 2 nm. The results are discussed in terms of the spin twist as well as the coherent rotation of the magnetization in the individual ferromagnetic layers. In addition, in the spin-valve structures with the same pinned layer thickness, the CoFe-based system exhibits higher magnetoresistive ratio, but lower PHE sensitivity with respect to those of the FeNi-based system. The results show that the thinner the pinned layers, the higher is the PHE sensitivity obtained in both systems. Experimental investigations are performed for 50 × 50 μm junctions fabricated using lithography technique. This paper deals with the magnetization, magnetoresistance and planar Hall effect (PHE) of NiFe(10)/Cu(1.2)/NiFe(tp)/IrMn(15) (nm) and NiFe(10)/Cu(1.2)/CoFe(tp)/IrMn(15) (nm) spin-valve structures with various thicknesses of pinned layer tp = 2, 6, 9, 12 nm and a fixed free layer NiFe of tf = 10 nm.
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